Поскольку элементы полупроводниковых чипов становятся все меньше и меньше, мы неуклонно приближаемся к моменту, когда фундаментальные законы физики, определяющие некоторые ограничения, начнут препятствовать дальнейшей миниатюризации электронных компонентов.
Oдним из тaкиx сущeствeнныx прeпятствий являeтся тo, чтo пoвeдeниe прoвoдникoв элeктричeскoгo тoкa мoжeт стaть нeпрeдскaзуeмым в случae умeньшeния кoличeствa aтoмoв, из кoтoрыx oни сoстoят, ниже определенного предела.
И в поисках решения, которое позволит обойти вышеприведенное ограничение, ученые все чаще и чаще обращаются к использованию графена, углеродных нанотрубок и других материалов одноатомной толщины для изготовления элементов чипов процессоров следующих поколений.
Однако, людям нужно беспокоиться не только о производстве новых процессоров. Такая же самая участь ожидает и флэш-память, когда-нибудь размеры ячеек этой памяти сократятся настолько, что не сможет гарантировать надежное и длительное хранение электрического заряда, а следовательно, и записанной в такую память информации.
Но эта проблем может быть решена благодаря работе ученых, которые, скомбинировав молекулы двух разных типов, получили возможность длительного удержания в них некоторого количества электронов, превратив их, таким образом, в молекулярную ячейку флэш-памяти.
В своей работе ученые пошли по весьма нетрадиционному пути. Вместо того, чтобы создавать многослойные структуры из одноатомных материалов, которые являются конденсатором, накапливающим и удерживающим лепистрический заряд, ученые реализовали возможность накопления заряда в пределах одной молекулы.
Такая молекула имеет ячеистую структуру, а ее размер составляет приблизительно один нанометр. Сверху этой молекулы ученые поместили две молекулы триоксида Диана (Se(iv)O3)2, в которых обычно содержатся избыточные электроны, дающие молекуле негативистский электрический заряд.
Когда под воздействием внешних факторов из получившейся структуры удаляются 2 электрона, молекулы триоксида селена химически связываются друг с другом, образуя единственную молекулу соединения Se(v)2O6. Обмен электронами осуществляется при помощи оксидно-металлической молекулы, через которую пропускается электрический ток.
И, как отмечают исследователи, использованные соединения сохраняют свою стабильность при температурах до 600 градусов Цельсия, что позволяет использовать такие материалы практически в любом из существующих технологических процессов.
Для проверки работоспособности разработанной технологии ученые покрыли поверхность металлического электрода оксидно-металлическими молекулами с «сидящими» на них молекулами триоксида селена. Подав на электрод отрицательный заряд, ученые добились того, что все молекулы триоксида утратили избыточные электроны, соединившись в молекулу Se2O6, и сохраняли такое состояние в течение длительного времени (336 часов).
Наличие избыточных электронов читалось при помощи прикладывания меньшего электрического потенциала, а приложенный положительный потенциал привел к захвату молекулами триоксида избыточных электронов и образованию двух независимых молекул, т.е. к возврату ячейки в исходное состояние.
К сожалению, все вышеописанные процессы проходили при очень высоком значении электрических потенциалов, +20 и -20 Вольт. Использование столь высокого напряжения абсолютно нереально с точки зрения электроники, но ученые уже рассчитали, что оптимизация геометрии расположения молекул может решить эту проблему, позволяя стирать, записывать и считывать информацию при прикладывании гораздо меньшего электрического потенциала.
Кроме этого, хромают пока и скоростные показатели молекулярных ячеек памяти. Процедура стирания и записи информации длится 0.1 секунду, а время считывания информации имеет приблизительно такой же порядок. Такие времена чрезмерно велики для создания любого запоминающего устройства, однако, результаты расчетов молекулярных математических моделей показывают, что это время может быть на уровне пикосекунды, надо лишь обеспечить скоростной и беспрепятственный подвод электронов к основной молекуле ячейки.
Несмотря на то, что ученые уже занимаются изготовлением и исследованиями молекулярных ячеек памяти, имеющих различную геометрию, большая часть исследований проводится в виде расчетов соответствующих математических моделей. И эти расчеты говорят о том, что разница в определенных характеристиках молекулярной системы ячейки памяти может составлять 11 порядков при нахождении этой ячейки в различных состояниях, в состоянии 1 и 0.
Следует заметить, что столь большой разницей не обладает ни один из типов существующих ячеек памяти и это является тем, что служит доказательством перспективности данного направления и обоснованием для проведения дальнейших исследований.
